●vblL010-02155 0219
2002

部署名　　：ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
設置場所　：ＶＢＬ棟

装置名称　：超高真空成膜装置
型式　　　：アネルバ製　EVP-30802

導入年月日：1997/2/25
導入金額　：28,840,000

装置の概要
　超高真空下（10-8〜10-7Pa）で，複数の蒸発源を用い，反射電子回折による構造評価を行いつつ，同時蒸着あるいは交互蒸着を行い，金属，半導体，絶縁体等の高品質な薄膜，多層膜を作製する。ナノメータレベルの膜厚制御が可能。

装置の原理
　金属を中心とする無機材料を蒸発させ，基板上に薄膜・多層膜を作製するための装置である。３基の電子ビーム加熱蒸着機構，基板加熱機構（最高温度900度），反射電子回折パターン表示機構を有す。また，水晶振動膜厚計とシャッターシステムの連動による堆積膜厚の制御が可能。

共同利用について
　現在，共同利用を行っている。

共同利用に際しての注意
　有機物の蒸着および反応蒸着は不可。超高真空装置の取り扱いに習熟していること，または装置担当者によるトレーニングを受けることが必要。蒸着物質，ハースライナー，蒸着基板，クリーニング用品，電子銃用ポート用Cuガスケットを利用者が準備する。ベンチャー・ビジネス・ラボラトリーに研究登録し，毎年度研究成果を報告する必要がある。

必要経費
　利用者が準備する蒸着物質等の購入費用，および取り扱い不注意による故障修理に関わる費用，液体窒素料金の一部等の負担。

装置担当者
所属　：工学部　機能材料工学科　材料プロセス工学
氏名　：中山　則昭
内線　：9651
E-mail：nakayamn@po.cc.yamaguchi-u.ac.jp